主题：挥发性存储器 -- btest

是指硅片上每个晶体管都可以互相彻底隔离开来。一般的工艺所有的nmos共享p substrate,bulk实际上是互相导通的，虽然会想办法尽量隔离不同的器件。pmos的nwell和p substrate 也就差一个pn结。在SOI工艺中，每个晶体管的body从周边（deep trench, 深度隔离沟）和下面(buried oxide)和其它器件完全隔离开来，所以它可以保持body的电荷量(不知详情如何）。这个工艺可以说是古董了，虽然现在又有了新的兴趣和发展，主要的应用在高压上面。

我没接触过双栅mos管,80年代我只知道电阻电容。猜想是不是分离器件拿SOI硅片底部当第二栅级用？向前辈问个好。这个gate为什么翻成栅级？