主题：挥发性存储器 -- btest

前两天介绍了一个非挥发性存储器的最新技术进展。

btest:【原创】新科技动向

今天来介绍一个挥发性存储器的新技术。

这是一家叫做innovative silicon公司的产品。这家公司的产品叫做Z-RAM.所谓Z-RAM就是Zero-capacitor DRAM.我们都知道现在的大家都用得最欢的DRAM是由一个三极管和一个电容组成的。电荷存储在电容里，有电荷就是1，没有电荷就是零。电容，不管怎么做，都是要漏电的，时间长了，这个电就漏得差不多了。所以，要在漏到1,0之间的临界值之前，往电容里面充电，俗称刷新。这个耗能量，也耗时间。影响到了速度和功耗。尤其让人不爽的是，在集成电路的工艺里面，做个电容很不爽，线宽越小，电容越难做。所以，越发展，DRAM的成本越高。而现在的这个Z-RAM却不同，很简单，它就是由一个三极管组成，没有电容。因此，体积小，密度高，不要刷新，工艺也单一，只要做三极管就行。所以，现在是取代传统DRAM的好东东，特别适合于跟其他逻辑混合在一起，做成一个芯片。它的电荷存在三极管的源和漏的沟道里，中间加了个SOI，硅氧化绝缘栅。通过，检测这个三极管导通的栅极阀值来得到逻辑的1和0。栅极阀值低的，说明沟道里面的电荷多，那么就是1，否则就是0。从理论上，这些很说得通，该技术也被很多学会和杂志评了很多大奖，但是现在，却没有见到真正可以使用的产品出来，不知为何。为了开发这个产品，该公司到今年累计投资了2.5亿美金。

对于，这个技术，我比较看好。

http://www.z-ram.com/index.php