主题：挥发性存储器 -- btest
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其原理是利用floating body的电荷改变mos管开关阈值。这样可以清晰的读取数据而且读取操作不削弱存储的电量。等于是把信号放大的一级。写入好象是利用impact ionization 来产生正电荷。不知道如何具体操作，在源漏之间加过电压？
SOI的隔离层恐怕不是指栅级（为什么叫栅？）和沟道之间。通常说的是burried oxide, 埋在body下面的。
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🙂挥发性存储器 13 btest 字1274 2009-05-21 02:12:57
🙂这个好象不叫三极管，应该叫（绝缘栅）场效应管。 2 njyd 字772 2009-05-22 01:42:42
🙂粗粗看了一下
🙂原文看不懂，从你说的看好象是双栅MOS管？ njyd 字364 2009-05-24 09:33:20
🙂SOI 马大善人 字539 2009-05-24 22:26:55
😜你这一堆洋文俺只看懂个mos njyd 字162 2009-05-25 09:34:29
🙂这个翻译么，应该是电子管来得喽 2 闲看蚂蚁上树 字470 2009-05-25 09:13:27
🙂SOI就是 晶体管穿个马甲 马大善人 字292 2009-05-25 18:59:23