主题:【原创】中微半导体45纳米蚀刻机 -- 可梦之
依稀记得当年上课HSPICE用的TSMC25的包含文件,那个应该是.25um时代的东东吧……
感觉像是在说原始社会的东西了。
amd已经成fabless了。这个世界变化快啊。
TSMC不去特意减少physical gate length,是因为它和intel的客户不一样。intel自己给自己做cpu。tsmc是代工厂,服务于其他fabless的。
可能有错误。不过现在sun也是在tsmc流片。ti也有那个意向吧。
对阿,tsmc要的是稳定和通用。不会为了一个客户改变参数和流程。
但是intel就是完全为自己定制,对高性能cpu来说,就显得很重要了。
同样的设计,定制出来的一般性能要好得多。更何况,电路底层的设计是离不开具体的制程的。
不是.90的设计可以直接拿到0.45上用。面向tsmc的未必能在意法半导体直接用。
.090, .045, not .90, .45
45纳米=0.045微米。
我是最开始接触0.18 0.23说习惯了,0.045说起来别扭。
以后改正。呵呵。
市场的一半以上是ASML,剩下是尼康和佳能,ASML的背后叫zeiss。看看这三个名字,就知道中国离高端光刻机有多远了,等国产相机满街跑的时候才有可能突破的。
靠山寨是没前途的,可以山寨一时不能山寨一世的。
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蚀刻,应该是用光刻后的过程了,实际上,整个流程里面,每一步都是很关键的技术。
光刻胶的材质和涂刷,很关键。
光刻musk的制作,很关键
光刻工艺,很关键
光刻好的蚀刻,很关键
能把这些全都搞定,那就是整个一个体系的提高了。
现在在蚀刻机上有了突破,那是很好的事情。
千里之行算是始于足下了。
我觉得
但是目前状况下,要突破这些个技术壁垒,就是要耍耍流氓,最起码可以锻炼一下队伍。
Why?
也就是说,如果光学镜头赶不上人家,就别想光刻机的事儿了。
现在好像很多都快到光学极限了,如果要继续往小了做,用光刻的方法就不太行了。
其他的呢,就有E-beam(电子束蚀刻)好像还听到过X-Ray,Ion-Beam之类的。不过这个也有自己的问题,别的不是很清楚,E-Beam就是速度慢,虽然线宽可以很小,但是就是不能量产,不能适应工业生产。
如果真的要搞这个,作为国家策略可以做两手准备,一方面研究传统的光刻,另外也开发一下新的技术。新技术大家都在研究,说不定苹果就砸在哪个山寨上了呢?:-)
应该是Mask不是Musk吧?
记得当时听Intel的一个带功报告会的时候,那人说现在搞最高级的Fab投资越来越大了,估计以后世界上就只有4条最小线宽的生产线了:Intel代表美利坚有一台,日本一台,中国一台,欧洲一台……
不过说其他的线宽的,好像国内已经有好多了吧?不知道具体都是什么档次的呢?其他的都分布在什么地方呢?