主题:【原创】中微半导体45纳米蚀刻机 -- 可梦之
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复 也说说Fab吧
因为蚀刻的时候其实是对整个chip进行处理,只是有些地方有保护,有些没有保护。
但是随着特征尺寸的提高,原来的蚀刻机肯定不符合新流程的要求。这里中微可能是想说他们的可以用在45纳米的制程上。
不是绝对垂直是一个原因,另外一个原因是高速粒子撞击之后难免会侵蚀周围区域。就好像嫦娥什么角度撞机月球,都不太可能撞出一个整齐的深洞出来。现在特征尺寸这么小,很容易蚀刻控制不好被击穿。但是这也不完全是坏处,intel曾经通过控制蚀刻的横向侵蚀,将transister的实际宽度降到特征尺寸的一般左右,从而提高性能。这也体现了制造厂的重要性。AMD和TSMC不太可能这么搞的。
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🙂也说说Fab吧 7 时常数 字783 2009-03-03 12:44:37
🙂对了,就是plasma etcher aqu 字47 2009-03-04 23:08:58
🙂45nm 西潜1号 字63 2009-03-03 13:23:21
🙂理论上蚀刻和纳米没有关系
🙂转眼间 西潜1号 字163 2009-03-03 13:51:15
🙂我记得好像是这样的 2 可梦之 字338 2009-03-03 14:06:08
🙂现在到底有多少Fab的生产线呀 1 时常数 字276 2009-03-04 13:37:06
🙂中芯是国内最先进的 漠北以北 字41 2009-03-08 00:34:43