主题：同学们，“半导体存储器导论课”第二课开始点名，分组讨论了， -- 老瑞

只旁听，不报道，没有学分的啊，

欢迎参加，只是这个题目好像跟老兄的专业偏的好远啊，

老兄好像一直在线的，莫非是“网特”？

报告老师，呢一个字都没看懂。

咋办？

Always OnLine 啊

个人体会，我们大到整个国家民族，小到个人，还处在向西方学习的阶段，就像文艺复兴前夜的欧洲。当时欧洲的复兴和大量阿拉伯文的希腊经典的传入是密不可分的。所以想要有成就，不懂英文不行。我个人推荐Merriam-Webster Online Dictionary。这是一个很好的在线英英词典。

老师好，我来凑数。

说到半导体存储器，就会想到了单晶硅，那儿有位说硅就是半导体。准确地说，纯的晶体硅具有金刚石结构有稳定的共价键，是电阻率高到104 欧姆厘米的真性半导体。实际用的半导体是掺杂的单晶硅。而生产DRAM, LSI集成电路用的就是常说的8吋，10吋12吋的单晶硅wafer (薄片)。

那什么是存储器呢？ 以前常说的是电脑的RAM（Random Access Memory），这几年新电子产品MP3, PDA, 数码相机里用的是闪存（Flash memory）。还有那新开发的FRAM,MRAM,PRAM。

这些有什么不同呢？

从数据的保持性来划分，电脑的RAM(DRAM; Dynamic Random Access Memory,　SRAM; Static Random Access Memory)是一种停电后数据会消失的挥发性 (volatile) 存储器，而磁盘，光盘，MO，到现在的闪存都是不挥发性的(non-volatile) 存储器。他们的共同点都是用他们各自的某个性能的变化来表示出数据的0和1。

DRAM是什么原理呢？那远的要从DRAM集成电路的构造说起，在前面说到的硅wafer上要形成纵横的很小的格子，这就是DRAM的一个cell, 一个cell包括一个三极管（NMOS transistor）和一个用来作为存储的与MOS的drain相连接的电容。而很多排列的cell就靠横向的word line和纵向的bit line 来连通和控制。 他的存储原理是写入1时，给与MOS的gate相连接的横向的word line加电压来导通Source和drain,这时给与source相连的纵向的bit line加电压，导通后的三极管就给电容充电。这就是说靠电容的充放电来写入1和0，读出时，靠gate加电压后导通的MOS来读电容放电的有无。

从原理来看，只要一段时间后，漏电将使得电容保存的电荷下降，到一定时间就得重新写入，这就是动态（dynamic）存储器的名字的来历。

　　下面是学习体会：

　　我原来以为巨磁效应，就是跟磁盘有关，是做磁盘用的。听了这课才知道应该是做随机存储器用的。

电脑的硬盘容量越来越大，而体积越来越小，最大的贡献是读写数据的磁头的性能越来越高。早期用的是GMR,现在由其发展出的是TMR(tunnel magnetoresistance)器件。

再给大家一个示意图，看看DRAM的一个cell的断面。

看上去象是填充poly-Si的deep trench.

E文兄弟我是看得懂的，不过就是懒惰，看中文的比较容易理解。等到天朝发达了，哼！人人都要用中文写论文！！！

LSI生产设计上那个capacitor就是用poly-Si作电容的一极与隔着一层氧化物或氮化物层的周围基板Si形成电容。

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