主题：【号外+部分修正】IBM builds super-fast transistor -- 闲看蚂蚁上树

就包括MOS里面都已经加入了Ge (RF CMOS),还有新器件如SOI,里面也都是掺了Ge的. 从长远看,SiGe器件只有越来越多,纯Si的器件应用越来越局限. 业内谈到SiGe, 都会说到一句, SiGe technology 就是 Si technology, 唯一不同就是SiGe多了一个bandgap engineering, 从而产生出了很多的变化. SiGe 技术正在成为 Si 技术的一个标准技术. BTW,世界上第一个晶体管可是用Ge做的.

从目前趋势看,GaAs竞争不过SiGe,性能不占优(个别指标还差,比如噪声),SiGe便宜,功耗低,噪声低(对 LNA, VCO等等电路都很重要).但是SiGe的最大好处还是在它与Si的集成性上,这个使许多的application成为可能,这个才是真正的优势.比如以后的手机,大概只需要一个CPU大小的芯片,就把目前所有的模块,包括射频部分就全部包括进去了.这个是用 GaAs, GaN难以想象的.

GaN 和 SiGe以后在三极管领域会分别占领不同的市场. GaN HBT负责大功率和一些特殊的应用,SiGe HBT负责其余.

另外,不理解什么叫无线高频通信的问题不是技术，是法律? peak ft的增加,自然使得工作点的频率响应增加.只有技术到了,法律才可以做出相应修改,分配新的频点,增加新的应用.就比如最近开始热起来的broadband LNA. 只有这种应用有可能做出来,相应的规定才讨论公布.