主题：【号外+部分修正】IBM builds super-fast transistor -- 闲看蚂蚁上树

新浪科技讯 IBM与佐治亚理工学院(Georgia Tech)成功使一颗 SiGe HBT（异质结三极管）的最高截止频率达到了500GHz，其时温度为-268℃，这也刷新了硅锗芯片的速度记录。此项实验是探索硅锗(SiGe)芯片速度极限计划的一部分，这种芯片类似于标准的硅基芯片，但是它含有锗元素使得芯片的功耗更低，性能更佳。

两家机构的研究人员用液氦使芯片温度达到了 -268℃，这样的低温在自然界只存在于外太空，已接近绝对零度。硅锗芯片在低温下可以获得更好的性能。目前，在正常的室温环境下，这款三极管可运行在350GHz的水平上，这也远远快于目前市场上所能见到的三极管。

加百利咨询公司分析师丹·欧德斯称，这项技术的出现表明半导体工业还远未走到巅峰，他表示，总有人认为半导体速度已经快要接近极限，现在看来，人们还远未能达到这一步。研究人员认为，硅锗三极管的理论终极速度有望达到1THz。

IBM首席技术官伯纳德·梅森预计，这款超级晶体管有望在12-24个月内推出首款商业化产品。“这是计算机半导体科技史上的一次突破性发展。”梅森表示，他认为这项技术将进一步降低高速芯片的成本，有助于催生速度更快的电脑和无线网络。

　　加入锗元素可有效提高晶体管性能并降低功耗，同时也会略微增加晶圆和芯片的生产成本,但是同用其他技术制造的达到同样性能的晶体管来说(如GaAs, GaN)便宜得多。IBM是世界上第一个生产硅锗芯片的厂商,自1998年已经销售了上亿个硅锗芯片。摩托罗拉、Airgo Networks和Tektronix等公司已在其产品中使用这项技术。目前高性能的硅锗芯片已经不只应用导弹防御系统、宇宙飞行器以及遥感测量等特殊领域,正大踏步进入民用无线领域。自90年代末,本世纪初以来,SiGe芯片的市场份额在飞速增长中。