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主题:【讨论】蓝光二极管 -- 花松鼠

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家园 中村好像是在UCSB吧

具体来说,他好像是解决了两个问题,就是单晶GaN的生长,和GaN的参杂。

依稀记得单晶GaN薄膜的生长是靠了在单晶硅表面长很厚的一层GaN。GaN和Si的晶体常数的尺寸是不匹配的,就是说有点把圆柱子放到方孔里面的意思。但是好像中村同学就是长了很厚的一层,这样的缓冲层神奇的达到了“化方为圆”的目的,最后就长成了单晶薄膜了。

另外一个就是GaN的参杂,如果没有参杂,就不能形成不同类型的半导体材料,更不用说P/N结了。

记得有一本书“Blue Laser”就是讲他的事情的来着

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