主题：【原创】雪夜妖谈-引子 -- 夜如何其
家园 确实令人难以置信 Mate60 Pro发售之前，谁也不敢相信进展这么快。我算是乐观的，觉得国内芯片产业没有失败的市场逻辑，但谁能想到这么快平地一声雷啊。
家园 我之前也不信，也认为国内重点应该是28nm以上 -- 有补充 上半年，官媒宣传中微28nm机器量产，我一直以为这个已经是重大成功了
但是Mate60，刷新了我的认知，
这种情况下，只可能是华为绕开美国限制，用非美设备成功建立芯片生产线，
“塔山计划” 厉害
作者 对本帖的 补充(1)家园 今天确认了，今天我的认识有一点错了，华为改的是ASML -- 补充帖 今天看了这副图，确定了一点，华为魔改的不是尼康的设备，是ASML的。难怪之前说ASML 1980有两台在松山湖华为哪里，我还想ASML怎么敢做维护？现在确认了，这台机器已经被魔改了，所以理论上应该不用ASML去维护了。
据说，华为将193纳米光刻机魔改为157纳米激光波长的浸入式氟化钙光刻机，理论上最小到4nm
通宝推：GWA,秦波仁者,家园 这个换光源的说法怎么从图上看出来的？
见前补充 4945398 家园 28nm和7nm光刻区别主要就是一次曝光和四次曝光吧 28nm是湿式，突破28nm其实就可以一路走到5/7nm，下面就要看EUV了。
家园 28 nm 也不可能是一次曝光吧 DUV 光刻机用的光波长193nm，这波长水的折射率 1.44，水中波长134nm 。
28 nm 远小于波长一半，而且要清晰边缘。。。怎么可能一次曝光。
家园 28nm也是标28nm 查了一下，也要DP
家园 不是 一次曝光是设备指标要求，多次曝光是无奈。
ASML的DUV光刻机1980，2000，2050，指标上一次曝光分别对应是28nm、14nm和7nm。1980、2000可制造7nm是通过多次曝光获得，但晶体管密度、成本差距很大。
光刻机是集成系统，分别是光源、操作平台、光柵、光学滤镜。都影响光刻机指标。还有一点更重要是制造工艺差别，也就是工艺参数积累。
- 复 不是
家园 你这说的完全错误 建议学习一下光刻原理再发言吧。不要误导别人。
- 复 你这说的完全错误
家园 你这帽子有点大 大山猫河友原话是:
28nm和7nm光刻区别主要就是一次曝光和四次曝光吧
我理解是采用多重曝光工艺
你是行家，应该知道28nm和7nm芯片生产工艺差别吧。晶体管结构也从2D上升为3D结构。也就是从MOSFET转换为Finfet工艺。如果采用Finfet工艺，是不可能采用多重曝光工艺。
台积电7nm工艺是采用Finfet工艺，华为的台积电加工的9000和国产的9000s都是Finfet工艺，不是采用传统多重曝光获得。
实际无论哪一家芯片制造商，只要采用Finfet工艺，都有几次不同光刻过程。Finfet工艺同Duv和Euv光刻机无关。这点是我表达不严谨的地方。
目前看，国产7nm芯片成功，更多是实现了Finfet工艺的成熟。
- 复 不是
家园 7nm一次曝光能做到？ Intel做10nm（相当于7nm）就要四次曝光了（SAQP），光刻机的波长在193停滞了十几年，直到EUV出来。如果一次曝光能搞定那成本就把EUV打死几次都够了。
家园 不大可能 -- 有补充 即使E U V，波长13.5 nm 也比7 nm 大，目前 EUV 光刻机镜头数值孔径很小，单次曝光不可能达到有清晰边缘的 7 nm 结构。。。也得多次。更别说波长长一个量级的 D U V 光刻机。。。。
作者 对本帖的 补充(1)家园 现在ASML 的EUV光刻机数值孔径0.33 -- 补充帖 理论光学聚集分辨率就是 20+ nm。。。
制造10纳米以下，必需要复杂的 pattern 干涉才行。。。
见前补充 4925829
