主题：【原创】flash和硬盘比较与展望 -- spinfox
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现有的最有希望的SOLIDE-STATE-MEMORY是相变存储器(phase change random access memory, CRAM) 和磁存储器(magnetic random access memory, MRAM)。前者由intel开发，后者则是IBM, SONY, Motorola, Infinion。这两种存储器的优点是非挥发性，也就是说即使断电数据也不会丢失(DRAM 的数据会在断电的1毫秒内丢失)。另外速度非常快，可达到 < 1 纳秒， 相比flash， 这个速度高出1-2 数量级。
ns级？是Spin-RAM吧？
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🙂献花，顶起来 老瑞 字72 2007-10-14 20:13:42
写得很有趣，挑一小错 1 雨农 字394 2005-12-25 20:31:39
惭愧， 呵呵。 spinfox 字0 2005-12-25 20:46:35
请问可达到<1纳秒的速度是哪家公司发表的？
【注意】另外，OUM也可到ns级，这都是有数据支持的。 spinfox 字198 2005-12-23 00:53:22
这位老兄好像不知道 Spin-RAM 也是MRAM的一种... (见内) spinfox 字358 2005-12-23 00:42:33
我知道Spin-RAM会不知道它与MRAM的关系？ 千僧 字134 2005-12-23 05:19:38
呵呵，见笑. 1 spinfox 字0 2005-12-23 11:17:08