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主题:【原创】flash和硬盘比较与展望 -- spinfox

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家园 phase change random access memory, CRAM? 不是PRAM/OUM?

从物理角度看PRAM/OUM(Ovonic Unified Memory)靠通电加热改变结晶和非结晶状态(相)的,为了确保改写成功改写电流很难降低,近年也没有什么突破,我是不看好它地,相比之下MRAM更具优势。

就近期来看,FeRAM已经投产,预计07年集成技术提高后就要把Flash淘汰了。FeRAM是破坏性读,Flash不是,文中Flash指的是FeRAM? FeRAM也有叫FRAM的,误认为F是Flash了吧?

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