主题：军事新闻2012-11-14 -- 晨枫

只看过摘要，引言部分确实提到“单个T/R组件的最大耗热量为30W”，不过这是2003年发表的，等到雷达整机正样、定型、列装，肯定会有改进。

T/R组件散热，目前普遍使用Ｉ—ＤＥＡＳ软件进行仿真计算，精确控制移相器单元的传热路径，再根据组件末级功率管热流密度采用强制风冷或液冷。老美似乎多用铝合金冷板加PAO（聚阿尔法烯烃合成基础油）冷却液对功放组件和开关电源一体化阵列进行散热。这方面，Raytheon在2001年剑桥“热材料研讨会”上有专文探讨（Material Issues in Thermal Management of RF Power Electronics），可以参阅。

新一代的GaN MMIC，其效率和散热设计均优于GaAs。《半导体技术》曾刊登13所有关ALGaN/GaN HEMT微带电路MMIC和南京55所X波段ALGaN/GaN HEMT功率MMIC的论文。内中披露的典型微波功率特性，特别是单位毫米栅宽输出功率密度和单位芯片面积输出功率密度两个指标已接近富士通和东芝为FCS-3和P-1反潜机AESA雷达提供的GaN MMIC器件水平。