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主题:同学们,“半导体存储器导论课”第二课开始点名,分组讨论了, -- 老瑞

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家园 你的问题问得好

送花。

从工艺上来说,N型要方便,作active area 时P离子注入就是一道工序。另外,gate电极也是Poly-Si,也要注入P; 据说Poly-Si有4um深度,导电性没有太大的问题。

关键词(Tags): #离子注入
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