主题：【原创】普京的台阶在哪里？ -- 本嘉明
nxt2100i 极限能做16nm理论上的pitch，smo 0.9 nm le3 能做到27nm，三星是做
le4到44nm
tsmc 5nm fin pitch是28nm，
1980di sadp极限是37nm，tsmc n7 m0是40勉强够做，但是fin 是30，poly是37
用1980di做不了fin的，可以做m0 以上的金属层
八妹厂 2050i 4台， 2000i是5台，做fin sadp或者le3 是能做的
松山湖2台1980di做做m5以上金属层是没啥问题
euv+dsa 除了不能做bridge 其他cut，
Grating patterns with 18/21 nm pitch can be fabricated with two process flows
1）EUV printed 36/42 nm pitch + SADP
2）DSA rectified 36/42 nm pitch + SADP
euv做segment length能到8nm
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压缩 9 层
🙂duv有物理上理论极限，
🙂华为四次曝光光刻机已经官宣专利了 7 葡萄 字0 2024-04-21 16:29:55
🙂怎么老是华为啊？ 1 潜望镜 字176 2024-04-22 10:55:57
🙂中国金融和足球那么怂，要不让华为去管吧？ 2 风中乱发 字102 2024-04-24 09:15:11
🙂如果今年五纳米量产 13 葡萄 字180 2024-04-23 21:46:44
🙂华为会揽功 1 十八里店飞毛腿 字360 2024-04-23 07:08:49
🙂正是因为突破极限才能被称为魔改 32 陈王奋起 字416 2024-03-07 03:17:13
🙂全国产28nm线怎么样了呢？ zero9999 字0 2024-03-08 00:46:54