主题：【原创】普京的台阶在哪里？ -- 本嘉明

共:💬3120 🌺21588 🌵731 新:

主题内有 8 候选回复 花/囧确定，群落成员优先

duv有物理上理论极限， -- 有补充

nxt2100i 极限能做16nm理论上的pitch，smo 0.9 nm le3 能做到27nm，三星是做

le4到44nm

tsmc 5nm fin pitch是28nm，

1980di sadp极限是37nm，tsmc n7 m0是40勉强够做，但是fin 是30，poly是37

用1980di做不了fin的，可以做m0 以上的金属层

八妹厂 2050i 4台， 2000i是5台，做fin sadp或者le3 是能做的

松山湖2台1980di做做m5以上金属层是没啥问题

作者对本帖的补充(1)

tsmc 做n3b 是euv+dsa -- 补充帖

euv+dsa 除了不能做bridge 其他cut，

Grating patterns with 18/21 nm pitch can be fabricated with two process flows

1）EUV printed 36/42 nm pitch + SADP

2）DSA rectified 36/42 nm pitch + SADP

euv做segment length能到8nm

有趣有益，互惠互利；开阔视野，博采众长。
虚拟的网络，真实的人。天南地北客，相逢皆朋友