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主题:【整理】芯片败局 -- 拿不准

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家园 到70年代末,科研水平人才基础,台韩半导体是不如大陆的

1959年,在林兰英的带领下,我国冲破西方禁运,仅比美国晚一年拉出了硅单晶。同年,李志坚在清华拉出高纯度多晶硅。1960年,中科院半导体所和河北半导体研究所(现中电13所)正式成立。我国的半导体工业体系初步建成。同年,黄昆、王守武、王守觉、林兰英开始研究平面光刻技术,并在1963年研发出5种硅平面器件,应用在了109丙型计算机上。1965年,王守觉在一块约1平方厘米大小的硅片内,刻蚀了7个晶体管、1个二极管、7个电阻和6个电容的电路,我国第一块集成电路由此诞生。

60年代初,日本在美国的扶植下,通过官产学联合的形式,引进美国技术,建立了初步的半导体工业体系。而此时的韩国、台湾,仍然没有像样的半导体工业。

1966年,十年风波开始,但我国的半导体工业建设并未止步。1968年,北京组建国营东光电工厂(878厂),上海组建无线电十九厂,至1970年建成投产。其中北京878厂主要生产TTU电路、CMOS钟表电路及A/D转换电路;上海无线电19厂,主要生产TTL、HTL数字集成电路。他们是当时中国集成电路产业中的南北两强。1968年,国防科委在四川永川县,成立固体电路研究所(即永川半导体研究所,现中电24所),是中国唯一的模拟集成电路研究所。同年,上海无线电十四厂首次制成PMOS电路。1970年代永川半导体研究所、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路,之后又研制成CMOS电路。

1972年,美国总统尼克松访华后,中国从欧美大量引进技术,全国有四十多家集成电路厂建成投产。包括四机部下属的749厂(甘肃天水永红器材厂)、871厂(甘肃天水天光集成电路厂)、878厂(北京东光电工厂)、4433厂(贵州都匀风光电工厂)、4435厂(湖南长沙韶光电工厂)和航天691厂(侯为贵创立中兴前的工作单位,现并入航天771所)等。

也是在1972年,我国自主研制的PMOS大规模集成电路在永川半导体研究所诞生,实现了从中小集成电路发展到大规模集成电路的跨越。实现这一过程,中国人比美国人晚了4年。1975年,王阳元在北京大学设计出第一批1K DRAM,比英特尔生产的C1103晚5年。

1978年,王守武带领徐秋霞等人在中科院半导体所成功研制4K DRAM,次年在109厂量产成功。这时,比美国人晚了6年。1979年,中国成功反向英特尔的8080八位微处理器,比德国和日本早一年。1980年,王守武兼任109厂厂长,将老厂房升级改造为1000到10000级的高标准洁净室,并在这里组装了我国第一条中、大规模集成电路生产线。

此时,日本在美国的技术支持下,半导体研发官产学模式大获成功。1971年,研制成功1K DRAM,仅比美国晚1年,并全面超越中国。而韩国、台湾省这一时期凭借代工美国落后的半导体器件,并通过颁布产业发展计划、引进技术、派遣留学人员学习培训等方式,投入大量资金,积累半导体产业基础,但整体技术仍未超越我国。

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