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主题:【整理】386的几个段子 想想不容易 -- 太极学者

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家园 75年作出第一块RAM的时候只落后美国4年。

1975年,北京大学物理系半导体研究小组,研制成功我国第一批三种类型的(硅栅NMOS、硅栅PMOS、铝栅NMOS)1024位MOS动态随机存储器(RAM),它比美国Intel公司研制的世界第一块硅栅N沟道MOSDRAM只晚了4年,是我国MOS集成电路技术和产业发展过程中具有里程碑意义的事件。我国电脑研制工作在经历了电子管——晶体管——小规模集成电路阶段后嘎然而止,技术能力迅速被欧美国家甩开。

当年我们不像美国,有把技术大规模应用的能力,研究所研究的成果很难转化,这种看不见眼前效益的技术积累真是得眼光长远才能坚持。

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