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主题:【讨论】没人来聊聊最近的小米么 -- Sheldon

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家园 具体要看不同Controller厂商内部的并行划分

因为eMMC4.5的总线速度是200MHz,总线宽度8位,最高速度是200MB/s, 这远超一般的Flash cell的读取速度。 用Cache解决的办法只能应付瞬间小片段,应付不了大容量顺序读写。

因此必然采取某些并行技术,假如以4GB或8GB或16GB为最小单位,对大容量数据分隔存储,进行2倍并行,4倍并行或8倍并行,这样才能规避Flash单元的读取速度上限。但分得越多,写的时候管理复杂,浪费的容量空间也就越多。所以这是一个权衡的过程。

一旦划分了并行读写单元模式,最大读取速度就和最大容量有了关系,一般而言,容量越大的,并行数越多,速度也就越快。

所以三星声称它的一款手机32GB eMMC5.0 速度比eMMC4.5快一倍,说明在这块手机里面只有32GB的并行划分单元较大, 容量16GB的,由于并行数减少,速度也会减少。

至于小米3,我不知道他们的并行数,但小米声称他们的最高读取速度是120MB/s,已经接近了eMMC4.5 200MB的速度上限,我怀疑他们的并行数优化就是针对16GB的,而64GB没有任何改善。当然,后继的其他型号如何优化,则要看他们的具体参数。

修改的分割线:

http://item.jd.com/809240.html

这款SSD硬盘的读取速度是540MB/s, 更恐怖的是写速度是520MB/s,毫无疑问,他们用了类似的技术,就是并行读写技术。

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