主题：【讨论】Intel宣布芯片制造技术重大突破 -- forsake
共:💬29 🌺75
10年前IEDM上的hot topic是铜导线、金属栅极和3d mos，前两个早就用上了。对于MOS来说，Id∝W/L，L的大小就是大家一般所说的每代技术多少nm。按原来的工艺，缩小L的时候W也会小，所以最近这些年漏电流是在减小的（因为还是其他因素影响），这就导致通断电流比下降，对于系统节能是不利的。这个Tri-gate实际上是增大了W，跟DRAM里靠挖洞来增大电容是一个原理。
另外这个节能是制造工艺进步导致是物理层面上的，ARM的节能是靠电路设计上的取舍做到的。两者不是一回事。Intel一向是工艺最强，电路优化上有时还不如AMD。
本帖一共被 1 帖 引用 (帖内工具实现)
- 相关回复 上下关系8
🙂如果具体到晶体管级那肯定是线宽越小越省电 似曾相识 字0 2011-05-05 18:26:40
🙂嘿嘿，那倒也不一定 闲看蚂蚁上树 字146 2011-05-05 18:43:55
🙂不用tri-gate，22纳米也能做得出来 2 闲看蚂蚁上树 字205 2011-05-05 11:30:08
🙂意义大小看你怎么吹
🙂明白了，谢谢哈 forsake 字85 2011-05-05 10:53:22
🙂是这样的 8 moletronic 字496 2011-05-05 11:04:48
🙂Intel当年把ARM卖给Marvel 1 大山猫 字154 2011-05-09 11:33:36
🙂当年intel的移动cpu是做不下去了吧 松河 字246 2011-05-09 05:03:45