主题：【讨论】Intel宣布芯片制造技术重大突破 -- forsake
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传统的MOS晶体管是在二片有间距的半导体表面搭个桥，让这二块半导体表面实现相互导电。这个3-D在二块高耸的半导体之间的深沟里填入个坝，这个坝体的下，左，右，3面可导电，理论上可以增加3倍的电流量。当然现实里由于工艺的原因增加了1/3。
我想这开辟了一个新的视野，就是今后的晶体管能够实现层层叠叠这么个概念。这个技术一旦实现那么这个世界的精彩程度就不可估量了。
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🙂要观察森林，不是评价一棵树 2 大山猫 字403 2011-05-09 11:21:32
🙂请给出处 moletronic 字238 2011-05-09 11:01:38
🙂到哪里去搞出处啊 松河 字637 2011-05-10 06:43:58
🙂这个可是了不起的进展
🙂送个通宝给你吧 饽饽饽饽 字154 2011-05-05 19:55:33
🙂回宝 山青青 字0 2011-05-05 22:29:28
🙂你说得是3D封装 闲看蚂蚁上树 字98 2011-05-05 11:39:58
🙂目前第三维其实是SiGe外延上去的 1 山青青 字119 2011-05-05 12:43:29