主题：【原创】真正光伏业内人说光伏（1） -- phjhuan

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Ge的gap是0.7eV，放到最下面可以吸收红外光

常见的三个PN结的就用Ge。

硅的gap是1.12eV，不大不小，晶格还失配。

substrate吸收的光不多，吸光的是上面的3-5.

这个硅的合金，应该不叫硅了吧。SiGe做合金容易，顺便调。碳硅就不行了，有碳在，硅晶体就好不了。除非就干脆碳多些，就是碳化硅。但SiC的gap上了2，太高了些。

应该说硅合金可以分谱。不过实际不大可行。

“从而突破纯硅的理论极限”这个要做到，还得看所谓第三代电池：量子井电池，理论能到80%。

非硅的电池没怎么注意。我上的上千是说经济上合适的倍数。几百倍，硅聚光电池也能做。3-5族的聚光电池，上千后真正成本上有竞争力。

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